【48812】IGBT器材的结构和作业原理

  (Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极晶体管的简称，其由双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)组成，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体

  具有BJT的输入特性和MOS管的输出特性。 与BJT或MOS管比较，绝缘栅双极型晶体管

  本帖最后由 张飞电子学院郭嘉 于 2021-3-18 17:15 修改 GBT

  的开关作用是经过加正向栅极电压构成沟道，给 PNP 晶体管供给基极电流，使

  及使用 /

  等材料合集阐明 /

  剖析 /

  是什么 /

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